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能(néng)效
在實驗室和晶圓測試環境中(zhōng)測試 Si、SiC 和 GaN MOSFET,确保安(ān)全、精(jīng)準和快速。了解在設計中(zhōng)采用(yòng) SiC 和 GaN 導緻的測試挑戰以及如何解決它們的更多(duō)信息。了解如何最大程度降低最終産(chǎn)品的功耗和最大程度延長(cháng)電(diàn)池壽命。縮短設計的上市時間。
功率設備檢定
- 對 Si、SiC 和 GaN 設備進行安(ān)全、精(jīng)确和快速的 MOSFET 測試
- 大功率包絡
- 安(ān)全地設置測試
- 設備檢定加快 2 倍,縮短上市時間
- 避免昂貴的過量設計
電(diàn)源測量和分(fēn)析
- 開關損耗測量與分(fēn)析
- 電(diàn)路内電(diàn)感器和變壓器測量
- GaN 和 SiC 開關器件測量
- 安(ān)全作(zuò)業區(qū) (SOA)
- 電(diàn)源抑制比
- 控制回路響應
分(fēn)析 PDN 上的電(diàn)源完整性
- 在不阻斷直流電(diàn)的情況下測量高頻紋波
- 處理(lǐ) 1 V 至 48 V 及以上的電(diàn)源
- 最小(xiǎo)化測量系統噪聲成分(fēn)
- PDN 阻抗測量
- 利用(yòng)同步頻譜和波形進行噪聲搜索
- 自動電(diàn)源軌測量
三相變頻驅動器上的測量
- 在 PWM 三相電(diàn)機驅動器上執行穩定的測量
- 基于示波器的相量圖
- 測量系統效率
- 直流總線(xiàn)測量
- 支持 2V2I、3V3I 星型和增量型配置以及直流輸入/三相輸出。
更多(duō)能(néng)效應用(yòng):