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能(néng)效

在實驗室和晶圓測試環境中(zhōng)測試 Si、SiC 和 GaN MOSFET,确保安(ān)全、精(jīng)準和快速。了解在設計中(zhōng)采用(yòng) SiC 和 GaN 導緻的測試挑戰以及如何解決它們的更多(duō)信息。了解如何最大程度降低最終産(chǎn)品的功耗和最大程度延長(cháng)電(diàn)池壽命。縮短設計的上市時間。

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功率設備檢定

  • 對 Si、SiC 和 GaN 設備進行安(ān)全、精(jīng)确和快速的 MOSFET 測試
  • 大功率包絡
  • 安(ān)全地設置測試
  • 設備檢定加快 2 倍,縮短上市時間
  • 避免昂貴的過量設計
icon_auto-parametric-test

自動參數化測試

  • 全自動 HV 晶片級測試
  • 在不改變測試設置的情況下從高壓變成低壓
  • 在不重新(xīn)手動配置的情況下測量電(diàn)容 快速自動化
icon_pwr-conv-design

SiC 和 GaN 功率轉換

  • 攻克高共模電(diàn)壓
  • 同時測量多(duō)個控制和時序信号
  • 加快自動功率測量
  • 不滿足一緻性要求
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雙脈沖測試

  • 測量開啓和關閉能(néng)量損耗
  • 測量反向恢複
  • 自動示波器測量
  • 輕松生成栅極驅動信号
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最大限度延長(cháng) IoT 設備的電(diàn)池壽命

  • 确定負載電(diàn)流曲線(xiàn)
  • 模拟任意電(diàn)池類型
  • 模拟任何電(diàn)池類型

控制回路分(fēn)析

  • 基于示波器的響應測量設置
  • 支持控制回路測量的探頭特性
  • 用(yòng)波特圖測量穩定性裕度
  • 控制回路分(fēn)析系統

電(diàn)源測量和分(fēn)析

  • 開關損耗測量與分(fēn)析
  • 電(diàn)路内電(diàn)感器和變壓器測量
  • GaN 和 SiC 開關器件測量
  • 安(ān)全作(zuò)業區(qū) (SOA)
  • 電(diàn)源抑制比
  • 控制回路響應

分(fēn)析 PDN 上的電(diàn)源完整性

  • 在不阻斷直流電(diàn)的情況下測量高頻紋波
  • 處理(lǐ) 1 V 至 48 V 及以上的電(diàn)源
  • 最小(xiǎo)化測量系統噪聲成分(fēn)
  • PDN 阻抗測量
  • 利用(yòng)同步頻譜和波形進行噪聲搜索
  • 自動電(diàn)源軌測量

三相變頻驅動器上的測量

  • 在 PWM 三相電(diàn)機驅動器上執行穩定的測量
  • 基于示波器的相量圖
  • 測量系統效率
  • 直流總線(xiàn)測量
  • 支持 2V2I、3V3I 星型和增量型配置以及直流輸入/三相輸出。

更多(duō)能(néng)效應用(yòng):