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Wind turbines for high-power producing components and devices

能(néng)效和可(kě)靠性

加快綠色、清潔可(kě)再生、高效和大功率産(chǎn)生組件和設備的設計。

當今世界瞬息萬變,對有(yǒu)限的能(néng)源資源進行管理(lǐ)變得更加重要。碳化矽 (SiC) 和氮化镓(GaN)等寬帶隙半導體(tǐ)技(jì )術的進步正在促成清潔、可(kě)再生和可(kě)靠的能(néng)源生态系統的發展,但也給工(gōng)程師帶來了新(xīn)的挑戰。工(gōng)程師可(kě)依靠泰克提供的測量解決方案,應對今天和未來的電(diàn)氣化生态系統挑戰。 

探索适用(yòng)于研發和驗證用(yòng)途的 SiC 和 GaN 功率半導體(tǐ)解決方案

Wide bandgap semiconductor materials research

寬禁帶半導體(tǐ)材料研究

WBG 材料是提高 SiC 和 GaN 性能(néng)以加快開關速度、提高功率密度、進行高溫操作(zuò)、确保可(kě)靠性以及優化尺寸和成本的持續挑戰的核心。
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

檢定寬禁帶設備

要了解 SiC 或 GaN 設備的基本特性和電(diàn)氣性能(néng),需要精(jīng)确的電(diàn)壓和電(diàn)流測量。
iv characterization

I-V 檢定

I-V 檢定是測量電(diàn)子設備電(diàn)流與電(diàn)壓關系的過程。它對于設備測試和優化以及開發寬禁帶半導體(tǐ)至關重要。
AFG31000 for double pulse testing

雙脈沖測試

雙脈沖測試是用(yòng)于測量 MOSFET 和 IGBT 功率設備的開關參數的标準方法。在以前,設置雙脈沖測試非常耗時,因為(wèi)函數發生器沒有(yǒu)内置的方式來配置和設置測試。
wide bandgap devices

驗證寬禁帶設備

設計新(xīn)的 SiC 和 GaN 設備時,需要在設計和生産(chǎn)階段進行大量測試,以便推動工(gōng)藝改進、提高産(chǎn)量和降低成本。與傳統矽相比,測試 WBG 功率設備需要更好的分(fēn)辨率、更高的功率和更快的速度。
Validating Power Management ICs

驗證電(diàn)源管理(lǐ) IC

電(diàn)源管理(lǐ)設備是“無名(míng)英雄”,它們是支持電(diàn)子系統在幕後安(ān)全正常運行的重要組件。