檢定矽、碳化矽和氮化镓設備的性能(néng)

讓您的功率半導體(tǐ)設備更快上市

汽車(chē)電(diàn)氣化和射頻通信中(zhōng)要求苛刻的應用(yòng)需要寬禁帶半導體(tǐ)技(jì )術（例如碳化矽和氮化镓），同時還要繼續使用(yòng)傳統矽。與矽相比，碳化矽和氮化镓可(kě)提供更高的電(diàn)壓工(gōng)作(zuò)頻率、更高的溫度耐受能(néng)力和更低的功率損耗。了解碳化矽和氮化镓的電(diàn)氣性能(néng)将有(yǒu)助于為(wèi)它們在許多(duō)新(xīn)興電(diàn)力應用(yòng)中(zhōng)的使用(yòng)提供強有(yǒu)力的價值主張。讓功率半導體(tǐ)設備更快上市并盡量減少設備在現場的故障。

在更寬的功率範圍内進行測試

檢定碳化矽或氮化镓晶片和封裝(zhuāng)部件級設備的電(diàn)氣性能(néng)需要學(xué)習新(xīn)技(jì )術，例如使用(yòng)更大功率的儀器，應對探測難題以及進行測量低電(diàn)平（例如在存在高擊穿電(diàn)壓時測量皮安(ān)級的漏電(diàn)流水平）等。對于寬禁帶半導體(tǐ)，源電(diàn)壓高達 3000 V，電(diàn)流高達 100 A 的情況更加常見。同樣重要的是優化測試系統，以減少更改“開”狀态、“關”狀态和電(diàn)容測量設置所需的時間。

典型“開态”測量設置。

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解決在片功率半導體(tǐ)設備測試中(zhōng)的連接挑戰

将儀器連接到探頭和測試夾具(jù)

将高功率儀器連接到探針台和測試夾具(jù)可(kě)能(néng)是一項複雜的任務(wù)。連接不當通常會導緻測量錯誤。8020 大功率接口面闆在吉時利 SMU 和各種半導體(tǐ)探頭測試台或定制測試夾具(jù)之間提供了高度準确、靈活且易于使用(yòng)的接口。接口面闆有(yǒu)六條測量路徑，可(kě)進行 3 kV、200 V 和 100 A 的測量。您可(kě)以将其中(zhōng)五條路徑配置為(wèi)各種輸出連接器類型，以匹配您的探頭測試台。您可(kě)以使用(yòng)可(kě)選的偏移三通裝(zhuāng)置配置四條路徑。這可(kě)以在被測設備的最多(duō)四個引腳上進行高壓 C-V 測量。

吉時利 8020 大功率接口面闆。

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8020 大功率接口面闆用(yòng)戶手冊

自動進行 I-V 檢定的電(diàn)源時序

使用(yòng)吉時利的自動化檢定套件 (ACS) 軟件，省去對測試進行編程的麻煩。ACS 是靈活的交互式軟件測試環境，用(yòng)于設備檢定、參數化測試、可(kě)靠性測試以及簡單的功能(néng)測試。ACS 支持各種吉時利儀器和系統、硬件配置和測試設置。利用(yòng) ACS，用(yòng)戶可(kě)使用(yòng)自動硬件管理(lǐ)工(gōng)具(jù)配置儀器，并快速執行測試，無需具(jù)備編程知識。

用(yòng)于 GaN HEMT I-V 檢定的電(diàn)源時序。

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用(yòng)于 GaN HEMT 檢定的電(diàn)源時序