中(zhōng)山(shān)大學(xué)半導體(tǐ)材料與器件特性表征實驗室
- 測試功能(néng)強大，直接繪制IV曲線(xiàn)
- 測試精(jīng)度高，可(kě)以測到晶圓級器件
- 簡便易用(yòng)，方便快捷
2450源表具(jù)備的5英寸高分(fēn)辨率電(diàn)容觸摸屏圖形用(yòng)戶界面可(kě)以幫助老師和學(xué)生直接可(kě)以在前面闆進行參數設置，并顯示IV曲線(xiàn)。
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弱電(diàn)流測量
電(diàn)容器漏電(diàn)的測量；半導體(tǐ)器件和晶圓片、MOSFET和PIN光電(diàn)二極管的電(diàn)流測量；PMT的光測量；APD反向電(diàn)流測量、離子束電(diàn)流測量，以及CNT的IV特性等的實例介紹。
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推薦儀器
高阻測量
使用(yòng)靜電(diàn)計或皮安(ān)計來測量印制電(diàn)路闆的表面絕緣電(diàn)阻，其典型範圍在107Ω到1016Ω；絕緣材料電(diàn)阻率的測量，包括體(tǐ)電(diàn)阻率和表面電(diàn)阻率；四探針技(jì )術和範德(dé)堡技(jì )術進行半導體(tǐ)電(diàn)阻率的測量；高值電(diàn)阻器電(diàn)壓系數的測量。
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高源内阻電(diàn)壓測量
使用(yòng)SMU和靜電(diàn)計确定電(diàn)容器的介電(diàn)吸收性能(néng)；電(diàn)化學(xué)實驗中(zhōng)使用(yòng)靜電(diàn)計進行pH值的測量和用(yòng)離子選擇電(diàn)極确定特定離子的濃度，還用(yòng)來測量液體(tǐ)的電(diàn)導率。
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電(diàn)荷測量
使用(yòng)靜電(diàn)計的庫侖功能(néng)和步進電(diàn)壓源來測量電(diàn)容；使用(yòng)法拉第杯測量物(wù)體(tǐ)上的靜電(diàn)荷。
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低電(diàn)壓測量
标準電(diàn)池的比對；使用(yòng)溫度傳感器及納伏表測量高分(fēn)辨率的溫度和微熱量；利用(yòng)六段平衡橋測量霍爾電(diàn)壓和電(diàn)阻率。
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低阻測量
采用(yòng)微歐姆計或納伏表與電(diàn)流源來測量接觸電(diàn)阻、超導體(tǐ)電(diàn)阻和導體(tǐ)電(diàn)阻率。
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推薦儀器
Keithley公(gōng)司結合自身在測量領域數十年來積累的領先理(lǐ)論和實踐經驗，貢獻了“低電(diàn)平測量手冊”一書，供業内人士了解如何正确進行低電(diàn)平測量，以達到對微弱電(diàn)信号進行捕獲和定量分(fēn)析的目的。手冊包含了比較嚴謹的測量術語定義、誤差來源分(fēn)析和消除或避免誤差的方法，同時還給出了典型的應用(yòng)實例，是現學(xué)現用(yòng)的典範。
成功案例
南京大學(xué)薄膜晶體(tǐ)管和半導體(tǐ)材料測試
- 多(duō)路測試
- fA量級的電(diàn)流分(fēn)辨率
- 性價比高
多(duō)路的SMU測試和fA量級的電(diàn)流分(fēn)辨率，通過2612B源表來加背栅和源的電(diàn)壓，同時通過2636B源表來回讀低電(diàn)流信号。
3D傳感提供測試測量解決方案
“源”确保人臉識别系統的安(ān)全應用(yòng)，吉時利為(wèi)iphone人臉識别提供測試測量解決方案。
2601B源表擁有(yǒu)輸出10μs電(diàn)流脈沖性能(néng)，無需手動調諧測試您的VCSEL，确保設備安(ān)全。
為(wèi)Tesla提供提高電(diàn)池壽命測試方案
吉時利如何幫助Tesla提高電(diàn)池的使用(yòng)壽命。
源表和測試軟件配合，輕松完成庫倫效率測試。測試工(gōng)程師可(kě)以快速掌握電(diàn)池老化特性，大幅度提升電(diàn)池驗證速度。
